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PCB板化學(xué)沉銀空洞產(chǎn)生機(jī)理猜想
發(fā)布時(shí)間:2019-07-29 閱讀量:4063
近年來,化學(xué)沉銀因操作簡便、價(jià)格合理和性能優(yōu)異等優(yōu)點(diǎn),逐漸被廣泛應(yīng)用在PCB的最終表面處理工藝上;瘜W(xué)沉銀后銅層空洞是一項(xiàng)重點(diǎn)品質(zhì)監(jiān)控指標(biāo),銀下銅層空洞過多,會導(dǎo)致后續(xù)焊點(diǎn)中微空洞過于密集,最終導(dǎo)致焊點(diǎn)出現(xiàn)振動(dòng)失效、溫變疲勞失效等可靠性問題,如下圖所示。
銀下界面處存在密集的空洞,空洞邊緣的銅層容易被氧化成含銅氧化物,在焊接過程中,銀層溶解擴(kuò)散到焊料中,助焊劑在焊盤表面鋪展進(jìn)入銅空洞中,一方面助焊劑將空洞內(nèi)的氣體擠出洞外,被錫料包裹,另一方面會與銅壁氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),將含銅氧化物還原,同時(shí)產(chǎn)生少量小分子的氣體,空洞內(nèi)原有氣體和反應(yīng)產(chǎn)生氣體在熔融的錫料中由于浮力不斷向上移動(dòng),最終富集在IMC表層等區(qū)域,待焊點(diǎn)冷卻后,甚至?xí)?IMC 層中形成一層整齊的微空洞,導(dǎo)致焊點(diǎn)的結(jié)合力變?nèi),在后續(xù)的溫度沖擊、振動(dòng)測試等應(yīng)力篩選過程中,造成焊點(diǎn)斷裂失效。
2 空洞產(chǎn)生機(jī)理猜想
目前業(yè)界對于銀下銅層空洞的研究較少,最早可查的對于銀下銅層空洞的機(jī)理猜想源于Intel。Intel報(bào)告中猜測沉銀過程中原電池效應(yīng)可能會導(dǎo)致銅層空洞,但對其機(jī)理并沒有具體描述。魯志強(qiáng)[1]等結(jié)合沉銀生產(chǎn)的反應(yīng)過程,推測原電池效應(yīng)造成銀下銅層空洞機(jī)理如下:在沉銀反應(yīng)過程中,某些區(qū)域(如阻焊殘?jiān)、污染物與銅面交界處或粗糙度較高處等)藥水交換較慢,此處銀離子供應(yīng)不足,該處銅面不能及時(shí)沉積上銀層,銀在其他區(qū)域沉積后,會和該處銅面構(gòu)成電極的兩級,在沉銀藥水中形成原電池回路,在原電池反應(yīng)下,該處的銅層不斷失去電子形成銅離子被腐蝕最終形成空洞,如下示意圖(1)所示。
此外,局部沉銀反應(yīng)速率過快也可能形成銅層空洞。局部置換反應(yīng)速率過快,此處溶液中銀離子消耗過快來不及補(bǔ)充,導(dǎo)致銅咬蝕速率大于銀沉積速率,沉積的銀層不能完全覆蓋銅面,未覆蓋處在持續(xù)的置換反應(yīng)中也會形成空洞,如下示意圖(2)所示。
還有一種可能是,銅面有凹坑或者銀溶液沉積速率過快時(shí),沉銀過程會有微量藥水殘留在銀層下,在后續(xù)放置時(shí)會繼續(xù)咬蝕銅面造成空洞,如下示意圖(3)所示。
3 影響因素推斷
根據(jù)以上3種空洞形成機(jī)理,結(jié)合實(shí)際化學(xué)沉銀生產(chǎn)流程,分析推斷相關(guān)生產(chǎn)因素對沉銀空洞的影響。
首先考察可能影響原電池效應(yīng)的沉銀過程的因素。除油過程會影響銅面污物去除效果,因此,除油后銅面的清潔程度不同,將導(dǎo)致原電池效應(yīng)對銅面咬蝕程度也有差異,最終對銅層空洞產(chǎn)生影響。在后續(xù)的微蝕過程中,不同的微蝕劑種類,對銅面咬蝕情況也會有明顯差異,原電池效應(yīng)也不同;若微蝕后銅面水洗不凈,有微蝕藥水殘留處的銅面被藥水咬蝕程度更大,在后續(xù)沉銀過程中該處由于原電池效應(yīng)形成空洞的幾率也就隨之增加。另外,在不同生產(chǎn)溫度下,沉銀藥水反應(yīng)速率、劇烈程度都有差異,所以沉銀槽液溫度對銅層空洞也可能會產(chǎn)生影響。除此之外,考慮到不同銅箔類型,結(jié)晶方式有所差異,其表面銅原子排列疏松緊密不同,在沉銀過程中,與沉銀藥水置換反應(yīng)劇烈程度也會有所差異,反應(yīng)劇烈處可能被咬蝕出空洞,所以對于銅箔類型也是一個(gè)影響點(diǎn)。
因此,在實(shí)際生產(chǎn)流程中,影響沉銀空洞的可能影響因素較多,結(jié)合《沉銀板銀層下界面空洞關(guān)鍵影響因素的研究》的相關(guān)DOE實(shí)驗(yàn)結(jié)論可知,微蝕劑種類及其效果不同,是影響沉銀后界面處銅層空洞的突出影響因素之一,在實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中,需重點(diǎn)關(guān)注。